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MOS-FET

Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor

FG-MOSFET: Floating Gate Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor

Source
Drain
Gate
Bulk

S
D
G

Spannung zwischen Source und Drain U_DS
Spannung zwischen Gate und Source: U_GS
Widerstand zwischen Source und Drain: R_DS
Widerstand zwischen Gate und Source: R_GS
Strom zwischen Source und Drain: I_DS
Strom zwischen Gate und Source: I_GS

U_th: schwellenspannung

N-Kanal-MOSFET
P-Kanal-MOSFET

Selbstsperrend
Selbstleitend

Selbstsperrend: U_GS > U_th: I_DS = 0 A
Selbstleitend: U_GS < U_th: I_DS = 0 A

FG-MOSFET: Zwei Floating Gates, für Flash-Speicher

CMOS: Complementary MOS Schaltung

Cache-Speicher

1.) Vollassoziativ
2.) Direkt Abgebildet
3.) n-Wege Satzassoziativ

1.) Cache-Line = Cache-Zeile
2.) Cache-Block

1.) Ortsaddressiert
2.) Inhaltsaddressiert

1.) Trefferrate = Hit Rate
2.) Fehlzugriffsrate = Miss Rate

1.) Örtliche Lokalität: Spatiale Lokalität
2.) Zeitliche Lokalität: Temporale Lokalität

1.) Cache-Zeile
2.) Cache-Block
3.) Cache-Satz

Vollassoziaitiv
1.) Tag
2.) Byte Auswahl

Direkt Abgebildet
1.) Tag
2.) Index
3.) Byte Auswahl

1.) Level-1-Cache
2.) Level-2-Cache

1.) Durchschreibeverfahren
2.) Umschreibeverfahren
3.) Rückschreibeverfahren

1.) FIFO: First in First Out
2.) LRU: Least reacentyl used
3.) LFU: Least frequently used
4.) RND: Zufällig

1.) Konsistenz
2.) Kohäerenz

MESI
1.) M - Modified
2.) E - Exclusive
3.) S - Shared
4.) I - Invalid

Exclusive Modified
Exclusive Unmodified
Unexclusive Unmodified
Invalid

R: Read
W: Write

M: Miss
H: Hit

RM
RH
WM
WH

eines davon gibt es nicht

S: Snoop