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Klausur W21 1.) Datenbewegungsbefehle 2.) Arithmetisch logische Befehle 3.) Schiebe und Rotationsbefehle 4.) Gleitkommabefehle 5.) Multimediabefehle 6.) Programmsteuerbefehle 7.) Systemsteuerbefehle 8.) Synchronisationsbefehle b) f = (-1)^s * 1.m * 2^(e-b) Gleitkomma umrechnen In die eine wie in die andere Richtung c) Code Analyse slt-Befehl slt-Befehl addi $s1, $zero, 0 $s1 = 0 addi $s0, $zero, 1 $s0 = 1 addi $t0, $0, 33 $t0 = 33 loop slt Befehl beq $t1, $zero, don Vergleiche $t1 mit 0 add $s1, $s1, $s0 addiere zu $s1, $s0 also, addiere zu $s1 immer 1 Das macht am Ende 33 Jetzt eine $s0, $s0, 1 shiften also immer um 1 shiften also 10101010 .... weil 1 addiere dan schiften 101 Jetzt springe zu loop Befehlsregister: 5/6 Registersatz: 8 Befehlszähler: 7 ALU: 3 Befehlsdekodierer: 1 Speicher: 4 Speicherdatenregister: 6/5 Lernen Funktionsdekodierer: 2 Mit Speicherdatenregister und Befehlsregister erweitern b) Datenabhängigkeiten Ein schritt auseinander, aber 3 gilt Zwischen I1 und I2 wegen $t0 Zwischen I3 und I4 wegen $t1 Zwischen I5 und I6 wegen $t2 Keine Ausgabeabhängigkeit Keine WAR 1.) Register 2.) Level-2-Cache 3.) RAM 4.) Festplatte 1.) Page Directory 2.) Page Table 3.) Page Seitentabelle noch etwas nacharbeiten 4kByte Seiten, das macht 1 kByte: 1024 macht 10 Bit 2 kByte: 2048 11 Bit 12 Bit ist eine Seite Seite, Page Fram Page, Pageframe Seite, Seitenrahmen Seitenrahmen: Physik Seite: Virtuell Wie gross die Seiten sind, kann man erkennen, wie viele Pages es gibt, weis man nicht, aber es könnten 4K Pages sein Dann wären es: 4k Pages, 12 Bit 4k Pagetables: 12 Bit 10, Bit einträge im Page Directory TLB-Lernen Vollassoziativ: Es gibt nur einen Satz, mit einem Haufen von Blöcken. Die Cache-Zeile kann in jedem Block stehen Das erfordert eine geringer Zeitaufwändige Verdrängungsstrategie 2 LRU, LFU Aufgabe II-4, genauer Das kommt nicht dran, trotzdem lernen SS2020 1. Falsch: NOR, NAND 2. Richtig 3. Falsch, sie beginnen mit $ 4. Richtig 5. Richtig 6. falsch: Seiten sind immer gleich lang SRAM: Flip Flop DRAM: Kondensator Flash: FG-MOSFET Zeitliche Lokalität: ist die Annahme das auf Daten, auf die ein Mal zugriffen wird, ein weiteres Mal zugegriffen wird und zwar immer wieder, zeitnah Örtliche: Diese Daten liegen nahe beeiander b) FG-MOSFET 1: Source 2: Drain 5: Gate 4: Floating Gate ... 5. Isolotor ... Genauer nachgucken 5.) IF ID EX MEM WB IF: Instruction Fetch ID: Instruction Decode EX: Execute MEM: Memory Access WB: Write Back IF: Instruction Fetch: Befehl holen ID: Instruction Decode: Der Befehl wird dekodiert und die Operanden bereitgestellt EX: Execute: Ausführung in der ALU MEM: Memory Access: Ergebnis wird im Speicher geschrieben WB: Write Back: Bei R-Typ, hier wird mit MUX in den Registerblock geschrieben Genauer. Bit-Banding Gleitkommazahlen umrechnen, auf jeden Fall f = (-1)^s * 1.m * 2^(e-b) 4.) Zeile: la $t2, out Die addresse von out wird in $t2 geladen sll es wird um 8 Bit nach links geschiftet